01
パワーエレクトロニクス
高速充電器、EVパワートレイン、データセンター電源用のGaN-on-SiパワーHEMT(高速化・高出力スイッチングデバイス)に最適なプラットフォームです。
GaNウェハー
GaNテンプレート
PWGのGaNテンプレートは、サファイア、シリコン、またはSiC基質上で成長した高品質なGaNエピタキシャル層を指します。今後のGaN再生および高度なデバイス製造のためのコスト効率の高いエピ対応プラットフォームを提供します。
- 基質の選択肢 — サファイア、シリコン、またはSiC
- GaNエピレイヤー伝導 — N型(Siドープ)、P型(Mgドープ)、半絶縁型(Feドープ)
- エピ厚 — 1μmから100μm(カスタマイズ可能)
- 結晶品質 — 転位密度<1×10⁸cm⁻²(サファイア上)
- 拡張素材オプション — AlGaNテンプレート、InGaNテンプレート
- 表面仕上げ — エピレディ
- パッケージング — シングルウェハーカセット、真空パック
詳細仕様
ウェハーの種類別仕様。
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輸出管理通知
この製品の輸出は中華人民共和国商務部(MOFCOM)によって規制されています。輸出許可証は出荷前に取得しなければなりません。
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応用例
このウェハーが価値を提供する場所
02
RFおよび通信
GaNテンプレートは、高周波RFフロントエンドモジュール、5G/6Gインフラ、そして高い電子移動性と熱安定性を必要とするmmWaveパワーアンプに最適です。
03
オプトエレクトロニクスとマイクロLEDです
青色および緑色LEDエミッター、レーザーダイオード(LD)、次世代マイクロLEDディスプレイのエピタキシャル成長に応用されています。高効率の光放射を可能にする先進的なInGaN/GaN MQW構造の実現。
04
UVとセンシング
UVC/UVA光検出器、太陽盲UVセンサー、高結晶品質と低欠陥密度を必要とする化学・生体センサーの製造。
FAQ
この製品に関するよくある質問
素材の選択、カスタマイズ、テスト、注文に関する簡単な回答。
はい。GaNテンプレートは主に、後のGaNや関連するIII窒化物エピタキシーのためのエピレディプラットフォームとして設計されており、成長過程を簡素化し、制御された結晶表面を提供します。
はい。GaNテンプレートに加え、PWGはバンドギャップ工学を必要とするアプリケーション、特に高度なUV、可視光、その他の光電子デバイス向けにAlGaNおよびInGaNテンプレートを提供できます。
GaNテンプレートは、外部基板(例:サファイアやSi)上で成長した薄いGaNエピタキシャル層で構成されており、デバイスの再生にコスト効率の高いプラットフォームを提供します。独立型GaN基板は、異物基板を取り除いたバルク製のGaNウェハーであり、高性能デバイス向けに最高の結晶品質と熱性能を提供します。
はい。PWGはR&Dに優れており、プロトタイピングには柔軟なMOQがあります。エピの厚さ、ドーピング、基質の種類を迅速にカスタマイズし、機器の要件に合わせます。
独立型GaN基質
独立型(FS)GaN基板は、外部基板(サファイア/シリコン)を排除したネイティブのバルクGaNウェハーです。超低転位密度と高い結晶品質を特徴とし、高性能レーザーダイオード、マイクロLED、RFデバイスの究極のプラットフォームを提供します。
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GaN LEDエピタクシー
PWGのGaN LEDエピタクシャルウェハーは、高効率のUV、青色、緑色LED向けに設計されたMOCVD成長型AlGaN/InGaNヘテロ構造です。精密な多量子井戸(MQW)構造を特徴とするこれらのエピウェハは、高い内部量子効率(IQE)、均一な発光、そして優れたデバイス信頼性を実現します。
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GaN HEMT エピタクシー
高周波RFおよび高出力スイッチング用の精密成長AlGaN/GaN HEMT構造。低欠陥バッファと高密度2DEGチャネルを特徴とし、優れたデバイス性能を実現しています。
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工学主導の対応
問い合わせは適切な技術チームまたは商業チームに回されます。
住所
中国福建省厦門市通安連華工業団地連美路1389番地
