材料科学 ·精密製造
化合物半導体基板およびエピウェハ
研究開発から大量生産まで。PWGは、SiC、GaN、AlN、InP、GaAs、GaSb、InSbおよび特殊ウェハーを厳格な品質管理と迅速なリードタイムで供給しています。
基板ウェハー
エピタキシャルウェハー
特殊なウェハー ·エンジニアリングサポート
パワー・ウェハーテック・グループについて
精密工学ウェハー
パワーウェーファーテックグループ(PWG)は、SiC、GaN、InP、GaAs、GaSb、InSbを含む化合物半導体基板およびエピタキシャルウェハのフルサイクル材料メーカーです。結晶成長や基質製造からエピタキシャル堆積まで、主要なプロセスを管理し、サプライチェーンの安全性と厳格な材料一貫性を確保しています。
私たちは、厳格な仕様遵守、完全なバッチトレーサビリティ、迅速なエンジニア間サポートを通じてグローバルクライアントをサポートしています。研究開発のプロトタイピングから再生産まで、私たちはあなたのデバイスプログラムのために文書化された高品質な資料を提供します。
私たちは、厳格な仕様遵守、完全なバッチトレーサビリティ、迅速なエンジニア間サポートを通じてグローバルクライアントをサポートしています。研究開発のプロトタイピングから再生産まで、私たちはあなたのデバイスプログラムのために文書化された高品質な資料を提供します。
私たちのエンジニアリングアプローチを探求してください
エンジニアリング主導の提供
初期の材料評価から再生産まで。
25+
業界経験の年数
業界経験
500+
顧客対応
顧客プログラム提供
4
生産拠点
製造ネットワーク
品質保証
品質の文書化
調査により範囲が確認されました
製品ポートフォリオ
基板とエピタクシャルウェハー
3つの製品ファミリーに重点を置いています:標準およびカスタム基板、エピタクシャルウェハー、そして要求の高いデバイスプログラム向けの特殊構成です。
基板ウェハー
低欠陥基板で、要求の高いデバイス製造に向けられています。
材料
SiC ·GaN ·AlN ·GaAs ·InP ·GaSb ·InSb ·シリコン
応用例
パワーデバイス ·RF ·フォトニクス ·センサー
エピタキシャルウェハー
精密なエピタキシャル成長と、厳密な厚さとドーピング制御。
構造物
SiCベース・GaNベース・GaAsベース・InPベース・GaSbベース
プログラム支援
MOCVD / MBE ·ラピッドプロトタイピング ·量産
カスタムおよび特殊ウェハー
非標準仕様および特殊なデバイスプログラム向けにカスタム設計されたウェハー。
処理能力
研磨・ウェハーダイシング ·薄毛化・コーティング
カスタム仕様
非標準サイズ ·カスタム構造
アプリケーションで検索
応用と産業
電圧、熱、製造要件に合わせた設計された材料。
選定された応用
パワーエレクトロニクス
高電圧・高効率の電力デバイスに最適化されています。EVパワートレイン、再生可能エネルギーインバーター、AIデータセンター電源などの要求の高いアプリケーションをサポートします。
推奨される解決策
SiC ·GaN
Power Solutionsを探る
なぜパワーウェーファーテックを選ぶのか
ウェハー供給者以上の存在
カスタム仕様からリピート生産まで。私たちは、プログラムに必要なエンジニアリングコラボレーションとサプライチェーンセキュリティを提供します。
01
エンジニアリング主導のカスタマイズ
デバイスの仕様に合わせてカスタマイズされた素材。寸法、向き、表面仕上げといった正確なパラメータを定義し、お客様の具体的な用途ニーズに合わせます。
02
開発から本番への支援
研究開発から量産へのシームレスなスケールアップ。迅速な試作、柔軟な低生産、そして確実なリピート製造でギャップを埋めること。
03
管理された品質とトレーサビリティ
100%のプロセス中検査と完全なバッチトレーサビリティ。厳格なプロセス管理と文書化された試験データにより、一貫した品質と安全な長期供給が保証されます。
工学と製造
精密プロセス。
あらゆる段階でコントロールされています。
あらゆる段階でコントロールされています。
完全に垂直統合された製造業。結晶成長からエピタキシャル成長まで、最適な材料品質とデバイス性能を確保するため、あらゆる段階で厳格なプロセス管理を行っています。
すべてを探索
01. クリスタル成長
高度なバルク成長法(例:PVT、LEC、VGF)を用いてドーピングと化学量論の精密制御を行い、初期から欠陥を最小限に抑えます。
02. 基質準備
サブナノメートルの表面粗さ、厳格なTTV/Bow/Warp制御、エピ対応の表面を実現するための高度なスライス、研削、CMP研磨。
03. エピタキシャル成長
MOCVDおよびMBE機能により、精密な厚さとドーピングの均一性、低欠陥密度がデバイス構造に提供されます。
04. 品質検査
XRD、AFM、PLマッピングを用いた包括的な検査。クリーンルーム包装によるフルバッチトレーサビリティにより、安全で高収量の引き渡しが保証されます。
番組の連続性
仕様管理、完全なドキュメント作成、そしてR&Dから生産までのバッチレベルのトレーサビリティ。
品質およびプログラム支援
組み込みの品質。エンドツーエンドのエンジニアリングサポート。
品質は、入荷材料の選定やSPCのプロセス制御から最終試験に至るまで、あらゆる段階に組み込まれています。完全なドキュメント作成、厳格な仕様遵守、エンジニア間迅速なサポートを提供し、プロトタイプから量産へのスムーズな移行を実現します。
ISO 9001認証品質プロセス
バッチトレーサビリティとCoC
完全な試験報告書およびCoA(試験評価書)について
迅速なエンジニア間サポート
エンジニアに相談してください
信頼できる協力関係
産業、研究、新興技術の支援
研究開発から大量生産への材料イノベーションを加速させる。業界リーダーや研究機関と連携し、カスタムウェハー、専門製造、安全な大量供給を行っています。
産業プログラム
試作機から量産までスケーラブル
カスタム仕様、迅速な試作、そして安全で大量生産のサプライチェーンを半導体メーカーに支援します。
研究協力
専門的な研究のためのカスタマイズ教材
先進的な研究機関と連携し、新規材料評価、カスタムエピタキシー、非標準ウェハー製造で科学的突破口を加速させています。
新興技術プロジェクト
初期段階プログラムへの柔軟なサポート
厳格なNDA保護下の機密プログラムに対して、柔軟で低量のパイロットラン、迅速なプロトタイピング、専門的な技術的指導を提供します。
コラボレーションネットワーク
世界の業界リーダーやトップレベルの研究機関から信頼されています。
ニュースとインサイト
Power Wafertechの最新情報
すべてのニュースを見る
業界動向
2026-09-01 14:19:48
8インチSiC基板はパイロットから主流へと移行しています。2026年の供給、価格設定、エピタキシスの影響をパワーデバイスメーカーに探ってみましょう。
業界動向
2026-09-01 14:20:09
AIラックは10kWから100kW以上に成長しています。800V HVDCアーキテクチャがSiCとGaNの需要をどのように分配し、エピウェハーの仕様に何を意味するのかをご覧ください。
技術的な洞察
2026-10-23 17:24:21
スペーサー層の厚さはInP HEMTにおける極低温ノイズに強く影響し、移動度、ゲート制御、実空間移動のバランスを最適化した値が求められます。キャップ層ドーピングと安定性は、接触抵抗を低く保つために金属化やリフトオフプロセスと併設されなければなりません。
技術的な調査
ウェハーのニーズについてエンジニアに相談しましょう
材料、仕様書、プロジェクト段階を提出してください。エンジニアリングチームが1営業日以内にご回答いたします。
エンジニア間直接サポート
お問い合わせは直接当社の技術チームに転送され、迅速かつ詳しい対応が行われます。
住所
中国福建省厦門市通安連華工業団地連美路1389番地
