01
結晶成長
精密なドーピング制御と低欠陥密度(PVT、LEC、VGF)
パワーウェーファーテックグループについて
結晶成長からエピタクシャルウェハーまで
PWGの化合物半導体基板およびエピウェハのフルサイクル製造能力を発見しましょう。研究開発から大量生産までのエンジニアリングコラボレーションを提供します。
会社概要
あなたの端から端までのマテリアルパートナー
パワーウェハーテックグループは、SiC、GaN、InP、GaAs、GaSb、InSbを含む化合物半導体基板およびエピタキシャルウェハのフルサイクル材料メーカーです。結晶成長や基質製造からエピタキシャル堆積まで、主要なプロセスを管理し、サプライチェーンの安全性と厳格な材料一貫性を確保しています。
私たちは、厳格な仕様遵守、完全なバッチトレーサビリティ、迅速なエンジニア間サポートを通じてグローバルクライアントをサポートしています。研究開発のプロトタイピングから再生産まで、私たちはあなたのデバイスプログラムのために文書化された高品質な資料を提供します。
技術と製造
統合ウェハー開発および処理フロー
完全に管理された社内製造フロー。厳格な品質管理、完全なバッチトレーサビリティ、そして機器プログラムのあらゆる段階での安全な供給を確保しています。
02
ウェハー処理
エピ対応の表面向けの高度なスライス、研削、CMP研磨
03
エピタキシー
HVPE / MOCVD / MBE の増殖は、密厚かつドーピングの均一性を重視しています
04
製造
ウェハーのダイシング、薄化、金属化を含む下流処理
05
キャラクター設定
XRD、AFM、PLマッピングを用いた包括的な検査。完全な責任説明書(CoA)が提供されています。
ウェハーサービス
精密ウェハー処理およびデバイスプロセスサポート
精密処理および薄膜堆積サービスの完全なポートフォリオ。基板処理から複雑なデバイス製造まで、お客様のプロジェクトニーズに合わせたパフォーマンスを提供いたします。
ウェハー処理
4H-SiC、GaSb、InSb、その他の広帯域/III-V型材料向けの高精度CMP研磨、ダイシング、ウェハー薄化。
ダイシング
ウェハー薄化
薄膜堆積
電子ビーム蒸発やスパッタリングによる光学および電気コーティング。高接着性金属(Au、Ti/Pt/Au)およびIR/UV反射防止フィルム。
ARコーティング
金属堆積
ウェハーボンディング
高性能RF、パワーデバイス、集積フォトニクス向けの4H-SiC-on-Insulator(4H-SiCOI)など、先進的な接合ソリューションがあります。
4H-SiCOI
イオン注入
SiC、GaN、Siおよびその他の化合物半導体において、導電性または分離領域を形成するための種、エネルギー、線量を正確に制御すること。
精密ドーピング
品質と検査
注文ライフサイクル全体にわたる質の高いエビデンス
品質の期待値は仕様レビューで一致し、入荷、進出、出荷の管理によって支えられます。利用可能なレポート、トレーサビリティフィールド、パッケージオプションは製品や注文ごとに確認されます。
- 入荷、進行中および退却検査
- COA(検査報告書)の製品別入手可能性
- バッチレベルのレコードとトレーサビリティ
- 注文ごとに確認されたクリーンパッケージ要件
- 迅速なアフターサービスと課題調整
品質試験報告書
検証済み標準および管理システム
4H-SiCウェハー試験報告書
サファイアテンプレート上のAlN
青色LEDウェハーオンサファイアテストレポート
InPウェハー試験報告書
グループ01 / 01
協力の証拠
実証済みのコラボレーションモデル:仕様から本番まで
産業界や研究プログラムをどのように支援しているかの代表的な例です。詳細なプロジェクトデータとクライアントの身元は厳格なNDAの下で保護されています。
産業プログラム
クライアントチャレンジ
スケーリングは大量生産に適合する基板仕様の検証に成功しました。
PWGソリューション
4H-SiCの精密CMP研磨、ウェハー薄化、大量ダイシング。厳格なバッチ一貫性でFab-readyの基材を供給すること。
研究プログラム
クライアントチャレンジ
新規デバイスの特性評価のための低ボリュームカスタムエピタクシー。
PWGソリューション
低MOQでの迅速なプロトタイピングとカスタムエピタクシー。多層スタックのMOCVD/MBE成長と完全な材料特性評価。
アプリケーション開発
クライアントチャレンジ
新興アーキテクチャ向けのカスタマイズされたドーピングと表面処理。
PWGソリューション
精密イオン注入と、デバイスの絶縁およびオーミック接触のためのカスタマイズされた金属コーティング。
施設とグローバルサポート
4つの生産基地、研究所、そしてグローバルサポート
各サイトの事業範囲をご覧いただけます。施設情報は正式な検証のもとで文書化されます。
01
生産拠点
ベース01
基質材料
社内結晶成長と材料合成
02
生産拠点
ベース02
ウェハー処理
スライス、研磨、研磨
03
生産拠点
ベース03
エピタクシーと薄膜
高度なエピタキシー成長と薄膜堆積
04
生産拠点
ベース04
カスタムエンジニアリング
特別フォーマット、QAおよびプログラムサポート
製造施設
ISO認証のクリーンルームで、結晶成長、ウェハー製造、エピタキシャル堆積に対応しています。
検査室
XRD、AFM、PLマッピングを備え、厳密な材料特性評価と検査が可能です。
資格とグローバルサービス
厳格なバッチトレーサビリティ、NDA保護されたエンジニアリングサポート、安全なクリーンルーム包装でグローバルサプライチェーンの安全確保。
パワー・ウェーファーテックとの仕事
Power Wafertechとのパートナーシップ
当社のウェハーポートフォリオをご覧いただくか、材料、加工、プログラムの要件についてチームとご相談ください。