8インチSiC基板はパイロットから主流へと移行しています。2026年の供給、価格設定、エピタキシスの影響をパワーデバイスメーカーに探ってみましょう。
2026-09-01 14:19:48
記事を読む
8インチSiC基板はパイロットから主流へと移行しています。2026年の供給、価格設定、エピタキシスの影響をパワーデバイスメーカーに探ってみましょう。
AIラックは10kWから100kW以上に成長しています。800V HVDCアーキテクチャがSiCとGaNの需要をどのように分配し、エピウェハーの仕様に何を意味するのかをご覧ください。
スペーサー層の厚さはInP HEMTにおける極低温ノイズに強く影響し、移動度、ゲート制御、実空間移動のバランスを最適化した値が求められます。キャップ層ドーピングと安定性は、接触抵抗を低く保つために金属化やリフトオフプロセスと併設されなければなりません。
TFLN(薄膜リチウムニオベート)ウェハを、統合フォトニクス、電気光学変調、SAW用途で、結晶の配向や膜厚をカスタマイズできます。
世界のシリコンウェハー出荷量は2026年第2四半期に3,573 MSIに達し、前年比7.4%増加しました。最新のSEMIデータが供給、リードタイム、資格審査に何を意味するのか。
仕様書を共有したり、評価サンプルをリクエストしたり、当社のエンジニアリングチームとアプリケーションについてご相談ください。
見積もりを依頼する
