SiCウェハー — 基板とエピタクシー |パワーウェーファーテック

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標準的な化合物半導体基板やエピウェハをご検討いただくか、エンジニアと協力してカスタム仕様を作成してください。

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製品検索と分類

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標準的な化合物半導体ウェハーを素早く見つけるか、デバイスプログラム用のカスタム仕様をリクエストしてください。

SiCウェハー

SiC基質

パワー、RF、オプトエレクトロニクスデバイス向けのプレミアムSiC基板ウェハ。4H、6H、3Cポリタイプに加え、Nタイプ、Pタイプ、セミ絶縁オプションがあります。2インチから12インチのサイズで、エピ対応仕上げで高度な半導体製造に対応しています。

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SiCウェハー

SiCエピタキシ

SiCエピタキシャルウェハーはCVDで成長し、優れた厚さ均一性と低い欠陥密度を実現しています。600Vから10kVの電力デバイス(SBD、MOSFET、IGBT)向けに設計されており、EV、産業用ドライブ、再生可能エネルギーにおける高性能な応用を可能にします。

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三つのコア素材ファミリー

デバイス用エンジニアリング素材ロードマップ

材料ファミリーごとに基板やエピウェハーを閲覧してください。R&Dおよび量産向けに標準構成およびカスタム仕様が利用可能です。

応用と産業

応用と産業

ケース01 / 高電圧システム

パワーエレクトロニクス

800V+アーキテクチャ向けに設計されたワイドバンドギャップウェハーソリューション。高効率な電力変換、迅速なスイッチング、信頼性の高い高温運転を確保しています。

応用の焦点

EVパワートレイン ·急速充電 ·産業用モータードライブ

推奨製品

4H-SiC GaN

エンゲージメントプロセス

カスタム調査の進展

プログラム固有の要件を提出すれば、当社のエンジニアが評価から確定見積もりまで対応いたします。

カスタムエンジニアリング

標準リストを超えたパラメータ

カスタム直径と厚さ
向きとオフカット
ドーピングと抵抗率
薄膜と層積層
表面およびエッジプロファイル
マーキングとパッケージング
01要件を提出してください
02工学レビュー
03仕様の整合性
04見積もりとリードタイム
エンジニアに相談してください

技術的な調査

ウェハーのニーズについてエンジニアに相談しましょう

材料、寸法、仕様、用途やプロジェクトの段階を共有してください。当社のチームはお客様の要件を確認し、1営業日以内にご回答いたします。

工学主導の対応

問い合わせは適切な技術チームまたは商業チームに回されます。

住所

中国福建省厦門市通安連華工業団地連美路1389番地

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メールvictorchan@powerwafertech.com 電話+86-592-5633652