非常に多用途なAlN-on-Siテンプレートプラットフォームです。高品質なAlN層は、GaNパワー/RFエピタクシー、圧電MEMS(SAW/BAWフィルター)、高度なフォトニックデバイスなど幅広い用途をサポートし、成熟したシリコン製造プロセスとのシームレスな統合を可能にします。

サファイアのテンプレート上のAlNは、低欠陥密度、優れた熱安定性、強い圧電特性を持つ高結晶品質のAlNフィルムを特徴としています。これらは深紫外線LED、電力/RFデバイス、SAWフィルター、集積フォトニクスに最適です。

半導体デバイス製造、MEMS、エピタキシャル成長のために設計された単結晶シリコンウェハ。プライムグレードとテストグレードの両方で、優れたフラットネス、低欠陥密度、カスタマイズ可能な表面仕上げでお客様のプロセス要件に合わせます。

CVDで培養された高品質なSiエピウェハで、正確な厚さ、ドーピングプロファイル、抵抗率制御を特徴としています。高度なCMOS、離散パワーデバイス、センサー製造向けに、低欠陥密度と優れた厚さ均一性で設計されています。

高精度な熱酸化によって製造された高品質な二酸化ケイ素ウェハー(SiO2-on-Siウェハー)。優れたウェハーレベルの厚さ均一性、低欠陥密度、半導体絶縁、ゲート酸化膜、MEMS製造に適したプロセス対応の表面を特徴としています。