インジウムリン化物(InP)ウェハーは、高移動度の直接バンドギャップ(1.34eV)III-V化合物半導体です。高周波RF(THzまで)、1.3〜1.55μm光通信、低ノイズのフォトニック集積回路(PIC)に最適化されています。低EPDおよびエピ対応の表面仕上げを特徴としています。

ガリウムヒ素(GaAs)は、直接的なバンドギャップと高い電子移動度を兼ね備えており、高周波および光電子デバイスに広く使われる基板材料です。PWGのGaAsウェハーはMMIC、HEMT、HBT、VCSEL、レーザーダイオード、高効率太陽電池をサポートし、多径、結晶配向、エピ対応の表面仕上げで入手可能です。

Power Wafertech Groupは、赤外線検出、高移動度電子機器、先進的なIII-V族半導体研究用のヒ素ジウム基板(InAs)ウェハを供給しています。利用可能な選択肢にはN型およびP型InAsがあり、デバイス製造やエピタキシャル成長に適したウェハー径、結晶配向、表面仕上げが選択されています。

独立型(FS)GaN基板は、外部基板(サファイア/シリコン)を排除したネイティブのバルクGaNウェハーです。超低転位密度と高い結晶品質を特徴とし、高性能レーザーダイオード、マイクロLED、RFデバイスの究極のプラットフォームを提供します。