III-V 半導体エピタクシャルウェハ
III-V 半導体エピタクシャルウェハ
InP、GaSb、GaAs基質上の高精度MOCVD/MBE成長ヘテロ構造。高性能HEMT、pHEMT、HBT、レーザーダイオード、VCSEL、赤外線検出器向けに設計されています。研究開発から大量生産までのカスタムエピ構造をサポートします。
プロダクトセンター
自分のプログラムに合ったウェハーを見つけましょう。
標準的な化合物半導体基板やエピウェハをご検討いただくか、エンジニアと協力してカスタム仕様を作成してください。
製品検索と分類
素材で検索。仕様による精錬。
標準的な化合物半導体ウェハーを素早く見つけるか、デバイスプログラム用のカスタム仕様をリクエストしてください。
AlNテンプレート
シリコンテンプレート上のAlN
シリコンテンプレート上のAlNは、その後のGaNエピタクシーのための高品質なインターフェースおよびバッファプラットフォームを提供し、高性能なGaNパワーおよびRFデバイスの開発を支援します。
AlNテンプレート
サファイアテンプレート上のAlN
サファイアベースのAlNテンプレートは複数のウェハーサイズと、AlNの厚さ・配向をカスタマイズ可能で入手可能で、結晶品質が高く欠陥密度の低いAlNオンサファイア型は、研究開発およびデバイス生産開発の両方に適しています。
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応用と産業
応用と産業
ケース01 / 高電圧システム
パワーエレクトロニクス
800V+アーキテクチャ向けに設計されたワイドバンドギャップウェハーソリューション。高効率な電力変換、迅速なスイッチング、信頼性の高い高温運転を確保しています。
応用の焦点
EVパワートレイン ·急速充電 ·産業用モータードライブ
推奨製品
4H-SiC
GaN
エンゲージメントプロセス
カスタム調査の進展
プログラム固有の要件を提出すれば、当社のエンジニアが評価から確定見積もりまで対応いたします。
カスタムエンジニアリング
標準リストを超えたパラメータ
カスタム直径と厚さ
向きとオフカット
ドーピングと抵抗率
薄膜と層積層
表面およびエッジプロファイル
マーキングとパッケージング
01要件を提出してください
02工学レビュー
03仕様の整合性
04見積もりとリードタイム
技術的な調査
ウェハーのニーズについてエンジニアに相談しましょう
材料、寸法、仕様、用途やプロジェクトの段階を共有してください。当社のチームはお客様の要件を確認し、1営業日以内にご回答いたします。
工学主導の対応
問い合わせは適切な技術チームまたは商業チームに回されます。
住所
中国福建省厦門市通安連華工業団地連美路1389番地
