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自分のプログラムに合ったウェハーを見つけましょう。
標準的な化合物半導体基板やエピウェハをご検討いただくか、エンジニアと協力してカスタム仕様を作成してください。
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標準的な化合物半導体ウェハーを素早く見つけるか、デバイスプログラム用のカスタム仕様をリクエストしてください。
GaNウェハー
GaN LEDエピタクシー
PWGのGaN LEDエピタクシャルウェハーは、高効率のUV、青色、緑色LED向けに設計されたMOCVD成長型AlGaN/InGaNヘテロ構造です。精密な多量子井戸(MQW)構造を特徴とするこれらのエピウェハは、高い内部量子効率(IQE)、均一な発光、そして優れたデバイス信頼性を実現します。
シリコンエピタキシャルウェハー
シリコンエピタキシャルウェハー
GaNウェハー
GaN HEMT エピタクシー
高周波RFおよび高出力スイッチング用の精密成長AlGaN/GaN HEMT構造。低欠陥バッファと高密度2DEGチャネルを特徴とし、優れたデバイス性能を実現しています。
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応用と産業
応用と産業
ケース01 / 高電圧システム
パワーエレクトロニクス
800V+アーキテクチャ向けに設計されたワイドバンドギャップウェハーソリューション。高効率な電力変換、迅速なスイッチング、信頼性の高い高温運転を確保しています。
応用の焦点
EVパワートレイン ·急速充電 ·産業用モータードライブ
推奨製品
エンゲージメントプロセス
カスタム調査の進展
プログラム固有の要件を提出すれば、当社のエンジニアが評価から確定見積もりまで対応いたします。
カスタムエンジニアリング
標準リストを超えたパラメータ
技術的な調査
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材料、寸法、仕様、用途やプロジェクトの段階を共有してください。当社のチームはお客様の要件を確認し、1営業日以内にご回答いたします。
工学主導の対応
問い合わせは適切な技術チームまたは商業チームに回されます。
住所
中国福建省厦門市通安連華工業団地連美路1389番地