化合物半導体ウェハーおよびエピタキシー供給元 |パワーウェーファーテックグループ

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標準的な化合物半導体ウェハーを素早く見つけるか、デバイスプログラム用のカスタム仕様をリクエストしてください。

GaNウェハー

GaNテンプレート

PWGのGaNテンプレートは、サファイア、シリコン、またはSiC基質上で成長した高品質なGaNエピタキシャル層を指します。今後のGaN再生および高度なデバイス製造のためのコスト効率の高いエピ対応プラットフォームを提供します。

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GaNウェハー

GaN LEDエピタクシー

PWGのGaN LEDエピタクシャルウェハーは、高効率のUV、青色、緑色LED向けに設計されたMOCVD成長型AlGaN/InGaNヘテロ構造です。精密な多量子井戸(MQW)構造を特徴とするこれらのエピウェハは、高い内部量子効率(IQE)、均一な発光、そして優れたデバイス信頼性を実現します。

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シリコンエピタキシャルウェハー

シリコンエピタキシャルウェハー

パワーウェーファーテックグループは、高度なCVDエピタキシーで成長したシリコンエピタクシャルウェハー(Siエピウェハー)を供給しています。導電性基板上に精密に制御されたシリコンエピタキシャル層が堆積され、半導体デバイス製造に必要な厚さ、ドーピングプロファイル、抵抗率を実現します。
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GaNウェハー

GaN HEMT エピタクシー

高周波RFおよび高出力スイッチング用の精密成長AlGaN/GaN HEMT構造。低欠陥バッファと高密度2DEGチャネルを特徴とし、優れたデバイス性能を実現しています。

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シリコン基板

シリコン基板

Power Wafertech Groupは、半導体デバイス製造、MEMS、エピタキシャル成長、研究用途向けの単結晶シリコンウェハを供給しています。プライムグレードおよびテストグレードのシリコンウェハーの両方が供給可能です。
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二酸化ケイ素ウェハ

二酸化ケイ素ウェハ

パワーウェファーテックグループは、シリコン基板の制御された熱酸化によって製造される二酸化ケイ素ウェハー(SiO₂ on Si)を供給しています。乾燥熱酸化と湿式熱酸化は、酸化物の厚さやプロセス要件に応じて提供されています。当社のSiO₂ウェハーは、酸化膜の厚さを制御し、ウェーハレベルの均一性が良好で、エピ/プロセス対応の表面を特徴としています。
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三つのコア素材ファミリー

デバイス用エンジニアリング素材ロードマップ

材料ファミリーごとに基板やエピウェハーを閲覧してください。R&Dおよび量産向けに標準構成およびカスタム仕様が利用可能です。

応用と産業

応用と産業

ケース01 / 高電圧システム

パワーエレクトロニクス

800V+アーキテクチャ向けに設計されたワイドバンドギャップウェハーソリューション。高効率な電力変換、迅速なスイッチング、信頼性の高い高温運転を確保しています。

応用の焦点

EVパワートレイン ·急速充電 ·産業用モータードライブ

推奨製品

4H-SiC GaN

エンゲージメントプロセス

カスタム調査の進展

プログラム固有の要件を提出すれば、当社のエンジニアが評価から確定見積もりまで対応いたします。

カスタムエンジニアリング

標準リストを超えたパラメータ

カスタム直径と厚さ
向きとオフカット
ドーピングと抵抗率
薄膜と層積層
表面およびエッジプロファイル
マーキングとパッケージング
01要件を提出してください
02工学レビュー
03仕様の整合性
04見積もりとリードタイム
エンジニアに相談してください

技術的な調査

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材料、寸法、仕様、用途やプロジェクトの段階を共有してください。当社のチームはお客様の要件を確認し、1営業日以内にご回答いたします。

工学主導の対応

問い合わせは適切な技術チームまたは商業チームに回されます。

住所

中国福建省厦門市通安連華工業団地連美路1389番地

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メールvictorchan@powerwafertech.com 電話+86-592-5633652